你了解單晶爐嗎？單晶爐在制作工藝上的拉制方法具體該怎么做呢？

第一種：區(qū)熔法

區(qū)熔法的操作工藝就是為了避免熔體與坩堝間的化學(xué)反應(yīng)造成的污染，而發(fā)展起來(lái)的無(wú)增堝晶體生長(zhǎng)工藝。

這種方法只適用于熔體表面張力系數(shù)大的晶體生長(zhǎng)。垂直安裝一根多晶體棒，用水冷射頻感，使應(yīng)加熱使棒的一端熔化。依靠熔體的表面張力和電場(chǎng)產(chǎn)生的懸浮力，使熔體與晶棒粘附在一起。把一根經(jīng)過(guò)定向處理的籽晶端部侵入熔體，利用加熱器與晶體熔體的相對(duì)運(yùn)動(dòng)使多晶棒不斷地熔化，而另一側(cè)逐漸生成晶體。這種方法會(huì)讓生長(zhǎng)的晶體不會(huì)受坩堝的污染。

第二種：直拉法

直拉法又稱“恰克拉斯基法”（Czochralski）法，簡(jiǎn)稱CZ法。是生長(zhǎng)單晶硅的主要方法。該法是在直拉法(CZ)單晶爐內(nèi)，將原料（多晶硅）裝在一個(gè)坩堝中使其加熱至熔融狀，向熔硅中引入籽晶，籽晶夾在提拉桿的下端，控制溫度合適。當(dāng)籽晶和熔硅達(dá)到平衡時(shí)，熔液會(huì)靠著表面張力的支撐吸附在籽晶的下方。此時(shí)邊旋轉(zhuǎn)邊提拉籽晶，這些被吸附的熔體也會(huì)隨著籽晶往上運(yùn)動(dòng)。向上運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中熔體溫度下降，將使得熔體凝結(jié)成晶且隨著籽晶方向生長(zhǎng)成單晶棒。

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